Transistor

Ersatzschaltbild eines Transistors

Transistoren gehören zu den elektronischen Verstärker-Bauelementen und bestehen aus einem Dreischicht-Aufbau mit einer pnp- bzw. npn-Struktur. Sie können als Verstärker oder als Schalter eingesetzt werden. Das Ersatzschaltbild besteht aus zwei gegenläufig geschalteten Dioden unterschiedlicher Dotierung, bei der an die gemeinsame Kathode (bzw. Anode) die Basis angeschlossen wird. Die Basis-Emitter-Diode (BE-Diode) ist relativ stark dotiert, und die Basisschicht ist sehr dünn gehalten (ca. 10 µm). Der durch die hoch dotierte BE-Diode fließende Basisstrom steuert den Emitterstrom. Dieser Strom diffundiert fast vollständig durch die dünne Basisschicht zum Kollektor, sodass der ausgangsseitige Kollektorstrom${I_C}$ um ein Vielfaches größer ist als der Steuerstrom${I_B}$. Das Verhältnis von Basisstrom${I_B}$ zu Kollektorstrom wird auch als Stromverstärkungsfaktor bezeichnet. Mit der Funktionsweise von Transistoren lassen sich Ersatzschaltungen von weiteren Halbleiter-Bauelementen wie Thyristoren, IGBT oder MOSFETs erklären.

Transistor

[Translate to English:] Ersatzschaltbild eines Transistors

Transistors are electronic amplifying components and have a three-layered structure - either pnp or npn. They can be used as amplifiers or switches. The equivalent circuit comprises two diodes connected in opposite directions and with different Doping and the base connected to the common cathode (or anode). The base-emitter (BE) Diode is relatively strongly doped and the base layer is kept very thin (approx. 10 µm). The base current flowing through the highly doped BE diode controls the emitter current. This current diffuses almost completely through the thin base layer to the collector, which means the collector current on the output side${I_C}$ is many times higher than the controlling current${I_B}$. The base current${I_B}$ to collector current ratio is also called the current amplification factor. The way transistors Work explains the equivalent circuits of other semi-Conductor components such as thyristors, IGBTs and MOSFETs.

三极管

三极管的等效电路

三极管是电子放大元件，其构成为三层结构，即 pnp 或者 npn 。三极管可以用作放大器或者开关。其等效电路为两个反方向连接的二极管，其中采取了不同的掺杂，并连接到共同的阴极（或者阳极）。 相对来说，发射基 （BE） 二极管的掺杂更加彻底，而基极层则非常薄（约10 ${\mu}{m}$ ）。基极层电流流入彻底掺杂的发射极，并控制发射基电流。该电流基本上可以彻底地扩散到非常薄的基极，并流入集电极。这样一来，输出端的集电极电流 ${I_C}$ 可以高出控制电流 ${I_B}$ 的许多倍。基极层电流 ${I_B}$ 与集电极电流的比值又称为电流放大系数。 三极管的工作原理可以用来解释其他半导体元件比如闸流晶体管、绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 以及金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET） 。三极管的等效电路

Transistor

Circuito equivalente de un transistor

Los transistores son componentes electrónicos de amplificación y tienen una estructura de tres capas: pnp o npn. Se pueden usar como amplificadores o interruptores. El circuito equivalente comprende dos diodos conectados en direcciones opuestas y con diferente dopaje, y la base está conectada al cátodo común (o ánodo).

El diodo base-emisor (BE) tiene un dopaje relativamente fuertemente y la capa base se mantiene muy delgada (aprox. 10 ${\mu}{m}$ ). La corriente de base que fluye a través del diodo BE altamente dopado controla la corriente del emisor. Esta corriente se difunde casi completamente a través de la capa base delgada hacia el colector, lo que significa que la corriente del colector en el lado de salida ${I_C}$ es muchas veces más alta que la corriente de control ${I_B}$ . La relación entre la corriente de base ${I_B}$ y la corriente del colector también se llama factor de amplificación de corriente.

La forma en que trabajan los transistores explica los circuitos equivalentes de otros componentes semiconductores como los tiristores, IGBT y MOSFET.

Circuito equivalente de un transistor