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Dotierung
Um die Leitfähigkeit oder die Kristallstruktur von Halbleitern gezielt zu verändern, werden durch die sogenannte Dotierung in hochreine Halbleiterkristalle wenige Fremdatome eingebaut. Das Verhältnis von Fremd- zu Kristallatomen beträgt ungefähr 1:104 bis 1:105.
Für die Dotierung kommen Atome mit drei oder fünf Valenzelektronen infrage. Erfolgt die Dotierung mit einem fünfwertigen Fremdatom, so findet eines der Valenzelektronen keinen Bindungspartner und bleibt im Kristallverbund als freies Elektron erhalten. Dotiert man mit einem dreiwertigen Atom, so entsteht im Kristall eine Elektronenfehlstelle, die vom Nachbar-Atom aufgefüllt wird. Bei einem n-dotierten Halbleiter sind die freien Elektronen in der Überzahl und bilden den Stromfluss. Bei p-dotierten Halbleitern wird der Stromfluss durch die Störstellen hervorgerufen.
半导体掺杂
半导体掺杂是通过在高纯的半导体晶体中掺入少量的杂质原子,人为地改变半导体导电性和晶体结构的过程。杂质原子与晶体原子之间的比率大约为 1:104 到 1:105 之间。
杂质原子使用带有三个或者五个价电子的元素。如果掺入的杂质是五价元素，其中一个价电子不能与其它电子形成共价键，剩下的这个价电子在晶体结构中而成为自由电子。如果掺入的杂质是三价元素，会在晶体中产生电子空穴。与其相邻的原子价电子会填补这个空位。在 N 型半导体中，自由电子形成电流。在 P 型半导体中，共价电子形成电流。
Dopaje
El dopaje es el proceso de alterar de manera deliberada la conductividad o la estructura de cristal de un semiconductor al introducir un pequeño número de átomos de impureza en cristales de semiconductores de alta pureza. La relación de impureza de los átomos de cristal es aproximadamente de 1:104 a 1:105.
Los átomos con tres o cinco electrones de valencia se usan para el dopaje. Si el dopaje se lleva a cabo con un átomo de impureza pentavalente, uno de los electrones de valencia no podrá encontrar una pareja de enlace y permanecerá en la estructura de cristal como electrón libre. Usar un átomo trivalente para dopaje crea un orificio de electrón en el cristal. Este es ocupado por el átomo adyacente. En un semiconductor n-dopado, los electrones libres representan a la mayoría y forman el flujo de corriente. En semiconductores d-dopados, son las impurezas las que crean el flujo de corriente.
