Transistor
Transistoren gehören zu den elektronischen Verstärker-Bauelementen und bestehen aus einem Dreischicht-Aufbau mit einer pnp- bzw. npn-Struktur. Sie können als Verstärker oder als Schalter eingesetzt werden. Das Ersatzschaltbild besteht aus zwei gegenläufig geschalteten Dioden unterschiedlicher Dotierung, bei der an die gemeinsame Kathode (bzw. Anode) die Basis angeschlossen wird.
Die Basis-Emitter-Diode (BE-Diode) ist relativ stark dotiert, und die Basisschicht ist sehr dünn gehalten (ca. 10 µm). Der durch die hoch dotierte BE-Diode fließende Basisstrom steuert den Emitterstrom. Dieser Strom diffundiert fast vollständig durch die dünne Basisschicht zum Kollektor, sodass der ausgangsseitige Kollektorstrom${I_C}$ um ein Vielfaches größer ist als der Steuerstrom${I_B}$. Das Verhältnis von Basisstrom${I_B}$ zu Kollektorstrom wird auch als Stromverstärkungsfaktor bezeichnet.
Mit der Funktionsweise von Transistoren lassen sich Ersatzschaltungen von weiteren Halbleiter-Bauelementen wie Thyristoren, IGBT oder MOSFETs erklären.
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Beispielsätze:
- Er verbindet die Vorteile des MOSFETs mit denen eines Transistors.
- and combines the benefits of MOSFETs and transistors.
- Die Ersatzschaltung kann mit einem MOSFET und zwei Transistoren realisiert werden.
transistor
Transistor
Los transistores son componentes electrónicos de amplificación y tienen una estructura de tres capas: pnp o npn. Se pueden usar como amplificadores o interruptores. El circuito equivalente comprende dos diodos conectados en direcciones opuestas y con diferente dopaje, y la base está conectada al cátodo común (o ánodo).
El diodo base-emisor (BE) tiene un dopaje relativamente fuertemente y la capa base se mantiene muy delgada (aprox. 10 ${\mu}{m}$ ). La corriente de base que fluye a través del diodo BE altamente dopado controla la corriente del emisor. Esta corriente se difunde casi completamente a través de la capa base delgada hacia el colector, lo que significa que la corriente del colector en el lado de salida ${I_C}$ es muchas veces más alta que la corriente de control ${I_B}$ . La relación entre la corriente de base ${I_B}$ y la corriente del colector también se llama factor de amplificación de corriente.
La forma en que trabajan los transistores explica los circuitos equivalentes de otros componentes semiconductores como los tiristores, IGBT y MOSFET.
Circuito equivalente de un transistor
Transistor
Los transistores son componentes electrónicos de amplificación y tienen una estructura de tres capas: pnp o npn. Se pueden usar como amplificadores o interruptores. El circuito equivalente comprende dos diodos conectados en direcciones opuestas y con diferente dopaje, y la base está conectada al cátodo común (o ánodo).
El diodo base-emisor (BE) tiene un dopaje relativamente fuertemente y la capa base se mantiene muy delgada (aprox. 10 ${\mu}{m}$ ). La corriente de base que fluye a través del diodo BE altamente dopado controla la corriente del emisor. Esta corriente se difunde casi completamente a través de la capa base delgada hacia el colector, lo que significa que la corriente del colector en el lado de salida ${I_C}$ es muchas veces más alta que la corriente de control ${I_B}$ . La relación entre la corriente de base ${I_B}$ y la corriente del colector también se llama factor de amplificación de corriente.
La forma en que trabajan los transistores explica los circuitos equivalentes de otros componentes semiconductores como los tiristores, IGBT y MOSFET.
Circuito equivalente de un transistor
三极管
三极管